∞ AI芯片成本结构重塑 HBM内存成本占比升至六成以上
5月21日，研究机构 Epoch AI 发布最新数据洞察报告显示，高带宽内存（HBM）在人工智能芯片组件成本中的占比已从2024年第一季度的52%上升至2025年第四季度的63%，接近总成本的三分之二。 这一估算基于英伟达（NVIDIA）、超微（AMD）、Google（Google）和亚马逊（Amazon）等主要设计商的AI芯片，按照产量加权平均得出。
报告指出，在AI芯片的组件成本结构中，HBM成本占比大幅上升的同时，逻辑芯片（logic dies）的成本占比基本持平，维持在约13%左右。 与之相比，高级封装（如CoWoS）成本占比从19%下降至15%，辅助组件（auxiliary components）的成本占比则从15%降至9%，显示出不同组件在整体成本结构中的此消彼长。
从绝对金额来看，四家主要设计商在HBM上的年度支出增速明显快于其他组件。 2024年，HBM支出约为120亿美元，而到了2025年，该项支出已经攀升至约320亿美元。 在同一时期内，AI芯片整体组件支出也从约220亿美元增长到约520亿美元，其中仅HBM一项就贡献了约200亿美元的增量，成为总成本扩张的主要推力之一。
Epoch AI给出的季度数据表明，从2024年第一季度到2025年第四季度，内存成本占比一路上行，而封装和辅助组件占比逐步下行，逻辑芯片则保持相对稳定。 在所有AI芯片中，四大类组件——内存（HBM）、逻辑芯片、高级封装及辅助组件——的成本占比均通过估算单芯片成本并结合季度产量推演得出，再据此计算各类组件在总组件支出中的占比变化。
展望未来，HBM在AI芯片成本中的比重预计仍将继续攀升。 Epoch AI指出，由于存储供应预计在2026年仍将偏紧，相关价格存在进一步上涨的压力。 来自产业链的信号也印证了这一判断：多家报道显示，HBM供给紧张态势将持续，存储厂商对2026年的HBM产能和订单已有较高锁定度。
在云计算巨头方面，资本开支指引已反映出组件价格上升的预期。 微软在其面向2026财年的资本支出展望中预计总资本开支将达到约1900亿美元，其中约有250亿美元被归因于组件价格上升。 Meta也在最新财报中上调了2026年的资本开支区间，增加幅度约为100亿美元，并明确指出这与组件价格上升有关。 这些表态被视为下游大型买家对上游存储及相关组件涨价压力的提前回应。
从成本结构和总支出的角度综合来看，HBM已成为AI芯片供应链中最具成本话语权的环节之一。 过去两年中，虽然逻辑芯片和封装技术仍在持续演进，但在整体成本构成中的相对权重却被不断攀升的内存成本所挤压。 这不仅加大了云服务商和大型互联网公司的硬件投入压力，也将倒逼产业链在存储技术、供应规划和成本控制方面做出更具前瞻性的布局。
∞ 俄罗斯推迟对移动VPN流量加收附加费的计划
俄罗斯政府已推迟对使用虚拟专用网络（VPN）的移动互联网用户征收附加费用的计划。据俄罗斯媒体援引电信行业消息人士的话报道，当局原定近期启动的收费安排将延后至今年稍晚时间实施。
俄罗斯数字发展部今年3月曾表示，将开始打击VPN使用行为。近年来，随着官方对互联网监控和审查的加强，越来越多俄罗斯民众通过VPN绕过封锁和监控访问被屏蔽的网站。
此前有媒体报道，数字发展部曾要求移动互联网运营商自5月1日起，对每月国际数据流量超过15GB的用户开始收费。但由于在监测VPN使用情况及计费方面存在技术和操作上的困难，这一时间节点随后被推迟至6月1日。
VPN通过将用户的网络连接经由境外服务器中转，使用户在技术上“显示”为从国外访问互联网，从而可绕开俄罗斯境内的屏蔽和限制。借助这一机制，用户可以继续访问被封锁的社交媒体平台和独立新闻网站。
据《生意人报》和RBC等媒体21日报道，相关计划中的额外收费措施再次被推迟，其实施时间预计将延后至今年9月底国家杜马选举及各地区选举之后。RBC援引一名消息人士称，要建立一套“完全可运行”的国际流量收费体系，至少需要三到四个月时间。
自俄罗斯在2022年发动对乌克兰的入侵以来，当局陆续封锁了多家西方社交媒体平台，并屏蔽包括《莫斯科时报》在内的多家俄罗斯独立新闻媒体网站，VPN在该国的下载量随之激增。在此背景下，政府对VPN的限制举措与全国多地移动互联网时常中断、以及对Telegram和WhatsApp等流行通讯应用实施的降速措施相互叠加，构成了对网络环境的进一步收紧。
∞ 工信部批复6G试验频率使用许可 2030年前后商用
据央视财经报道，近日工信部正式批复6G试验频率使用许可，我国也由此成为全球首个获得6G试验频率资质的国家。在此次许可批复后，6G技术研发将从实验室仿真、室内样机测试环节，逐步走向城市、工业等真实场景中完成性能验证。
本次划定的试验频段为6425–7125MHz，拥有700MHz超大带宽。
作为综合优势突出的中频资源，该频段既保障了信号大范围覆盖的能力，又能承载超高数据传输量，完美适配6G通感一体、空天地融合等核心技术需求，是推动技术落地的优质频谱基础。
此次测试工作由IMT-2030（6G）推进组牵头，国内四大主流通信运营商共同参与，试验周期定为2026年至2027年。
测试期间，研发团队将围绕网络架构、通信感知、低空互联、卫星组网等关键方向开展验证，持续打磨技术方案，解决工程落地中的各类难题。
从推进节点来看，2022-2025年，我国已顺利完成第一阶段6G关键技术试验，当前正在启动第二阶段技术方案试验。
未来，国际层面还需完成首版6G标准的制定，目前业内普遍认为6G通信能力将达到5G的10倍以上，2030年左右就可以实现6G商用。
相较于5G网络，6G拥有Tbps级传输速率、毫秒级超低时延，能够打通地面、空中、太空全域通信链路，不仅可赋能消费终端，还将深度服务工业制造、远程医疗、智能交通、深空探测等领域。
∞ 英特尔晶圆代工里奥兰乔工厂将成为下一代玻璃基板生产全球标杆
英特尔晶圆代工服务正引领全球玻璃基板技术竞赛，其位于新墨西哥州的里奥兰乔工厂有望成为全球首个实现大规模量产的生产基地。玻璃核心基板技术在半导体行业日益受到关注，相较于传统有机基板解决方案具有多重优势。当前基板市场正因人工智能超级周期而面临供应短缺，全球最大基板供应商之一味之素已宣布提价，这些供应链压力正推动业界加速探索先进封装解决方案，玻璃基板技术因此应运而生。
英特尔早在2023年便宣布了玻璃基板技术，该技术不仅能有效减少翘曲问题，还可显著提升密度和互连能力。今年早些时候，英特尔展示了首款采用EMIB先进封装技术的"玻璃核心"基板，随后吸引了苹果和特斯拉等重要企业的浓厚兴趣。这两家公司已与英特尔达成合作，将利用其18A-P和14A等先进制程技术。自那时起，英特尔合作伙伴大力支持玻璃基板技术的开发，安靠科技首席工程师近期表示，玻璃基板将在三年内做好商业化准备。
据福布斯报道，英特尔位于新墨西哥州的里奥兰乔晶圆厂目前正为外部客户生产硅光子学产品。硅光子学和共封装光学技术将重塑数据中心领域，通过提供更快的互连取代对铜材料的依赖，从而降低成本和功耗需求。首批采用共封装光学技术的玻璃基板原型产品近期已公开展示，计划于2030年前正式推出。里奥兰乔工厂于1980年代启动生产，并在1990至2000年代成为全球领先的制造基地，如今该工厂正致力于成为半导体下一篇章的核心阵地，聚焦玻璃基板和硅光子学两大技术领域。
福布斯援引消息来源指出，里奥兰乔工厂将成为全球首个大规模量产玻璃基板的制造基地。目前钱德勒工厂仅提供试验生产线，而里奥兰乔则瞄准全面量产。此外，福布斯引用渠道消息称，英特尔已为其晶圆代工业务与多家重要外部客户建立合作关系，其中亚马逊云服务和思科为现有客户，而苹果、Google、微软、英伟达和特斯拉均正与英特尔洽谈进一步合作事宜。英特尔在晶圆代工业务上的投入似乎正收获丰厚回报，尽管曾有报道称英特尔可能剥离该业务，但如今若一切顺利，英特尔晶圆代工服务有望成为公司最大的营收来源。
英特尔晶圆代工服务正将自身定位于半导体行业下一次重大飞跃的最前沿。通过在里奥兰乔工厂推进玻璃核心基板技术，英特尔不仅应对了传统封装技术的关键局限，还实现了更高密度、更优性能和更强互连能力。随着苹果、特斯拉、英伟达、微软等行业巨头的强烈兴趣，以及硅光子学领域日益增长的发展势头，英特尔在先进封装技术上的大胆投资正逐步兑现成果。曾被视为冒险之举的战略布局，如今已成为公司未来成功的基石。半导体的未来正在玻璃基板上成形，而英特尔正引领这一变革浪潮。
∞ 美光警告：AI需求暴涨引发存储芯片紧缺 状况将持续到2026年后
美国存储芯片巨头美光（Micron）预计，高带宽存储（HBM）、DRAM 和 NAND 闪存等关键产品的供需紧张局面，将持续到 2026 年之后。该观点由投行摩根大通在一份研报中披露，内容源自美光管理层在美国波士顿举行的第 54 届摩根大通全球科技、媒体与通信大会（TMC）上的发言。
摩根大通在研报中写道，美光在大会上表示，由于高性能存储芯片可以显著提升人工智能模型的算力表现，市场对相关产品的需求持续高涨，预计整个存储市场的“紧俏”状况会一直延续到 2026 年之后。与此同时，HBM、DRAM 与 NAND 等产品的产能扩张存在客观难度，这也将放大并拉长供需失衡的周期。
多重因素正在共同推高这一轮存储紧缺。首先，新一代存储芯片在性能上的“代际提升幅度”正在放缓，意味着客户需要堆叠更多芯片或采用更高规格产品，才能获得同等水平的性能增量。其次，新一代 HBM 芯片采用更大的晶圆面积（die size），在固定晶圆产能下，可切割出的芯片数量相对减少，进一步压缩了有效供应。此外，极紫外光刻（EUV）正加速进入最新一代 DRAM 制造工艺，在提升制程能力的同时，也对产线建设与良率爬坡提出更高要求。
在本次会议上，美光还披露了关于 HBM4 生产节奏的关键信息。公司管理层称，受 AI 应用爆发式增长推动，其 1-gamma 工艺节点有望成为公司历史上出货晶圆量最大的 DRAM 节点。HBM 存储通常以多层堆叠的 DRAM 模组为基础，并与 AI GPU 等高性能芯片封装在一起，这使得先进 DRAM 工艺在 AI 时代的重要性进一步凸显。美光同时表示，正在持续将 EUV 光刻深度导入 1-gamma 节点的量产之中。
在产能爬坡方面，美光指出，受强劲 AI 需求驱动，HBM4 的产能提升速度正以约两倍于上一代 HBM3 的节奏推进。公司预计，下一代 HBM4E 将在 2027 年开启量产爬坡，首批样品将基于 1-gamma 工艺节点所生产的 DRAM 芯片。这一时间表显示，美光正试图在后续几代 AI 加速芯片平台中，提前锁定高带宽存储的技术与产能优势。
除高带宽存储外，美光还提到，随着 AI 模型“上下文窗口”持续扩展，以及推理工作负载不断增长，公司在固态硬盘（SSD）市场的份额也有所提升。美光强调，正与主要客户紧密协同研发，为其特定应用场景定制产品，而非简单提供标准化的“现货型”存储解决方案。这种更深度的合作模式，有望在未来几年内进一步稳固其在 AI 存储生态中的地位。
摩根大通在报告中表示，在听取美光管理层的最新表态后，该行更加确信 AI 存储赛道存在“多年度牛市”的投资逻辑。在高性能计算、数据中心与 AI 加速芯片的集中拉动下，HBM、DRAM 与 NAND 的结构性供需紧张，可能会成为 2026 年之后存储行业定价与盈利能力的核心支撑因素。