∞ 高通押注台积电3nm N3X工艺打造Snapdragon X2 Elite Extreme芯片
高通面向笔记本电脑市场推出的首批 3nm 平台 Snapdragon X2 Elite 系列中，旗舰款 X2 Elite Extreme 被曝并未采用常见的 N3E 或 N3P 制程，而是转向以极限性能为目标的台积电 3nm N3X 工艺，希望在高电压与高频率下榨干单核与多核表现，以支撑其最高可达 5.00GHz、最多 18 核的高性能配置。
来自 Moor Insights & Strategy 的技术拆解显示，Snapdragon X2 Elite Extreme 采用类似苹果“统一内存”的 SiP 封装方案，把 RAM、存储等多种元件与 SoC 封装在同一模块中，通过 192 位内存总线、128GB 内存上限以及最高 9523 MT/s 的内存频率，将带宽拉高至 228GB/s，这一数字虽超过苹果 M5，但仍低于 M4 Pro 约 273GB/s 的水平。 整颗芯片集成晶体管数量约 310 亿个，N3X 相比 N3P 在高性能计算场景下可额外带来约 5% 的性能增幅，不过代价是晶体管密度和能效相对吃亏，高通也将 X2 Elite Extreme 设计在超过 1.0V 的工作电压上运行，以换取更高的频率空间。
在实际功耗设定上，这颗芯片在解锁功耗限制时可冲破 100W 阈值，在部分散热条件较好的笔电机身中则可长时间维持 40W 级别，以支撑高负载下的持续性能输出。 然而，目前公开的 Cinebench 2024 单核与多核测试结果显示，在同等条件下，X2 Elite Extreme 仍落后于苹果 M4 Max；在 GPU 端，面对 M4 Pro 在 3DMark Steel Nomad Light Unlimited、3DMark Solar Bay Unlimited 等合成基准中最高可达约 45% 的领先优势，高通这颗新旗舰同样处于下风，令业界对 N3X 带来的“极限性能红利”是否物有所值产生疑问。
从节点策略上看，高通此次选择 N3X，意味着首度有商用大规模芯片偏离 TSMC 目前主流的 N3P 路线，优先追求高频与峰值性能，而非面积和能效最优解。 报道认为，至少从目前有限的公开基准测试来看，这一选择尚未兑现预期中的“碾压式”领先，高通押注的极限性能路线是否能在更广泛的实际应用与整机设计中发挥优势，还需要后续更多机型与实测数据给出答案。
∞ 超级EUV光刻机成Intel杀手锏：每台售价超28亿元 用法极其奢侈
下周的CES展会上Intel预计会正式推出Panther Lake处理器，这是18A工艺量产的首款消费级处理器。18A工艺是近年来Intel最关键的一次升级，没有之一，用上RibbonFET晶体管及PowerVia背部供电技术，可以进一步降低芯片功耗，提高频率。
18A工艺已经在Intel位于亚利桑那州的Fab 52工厂量产，达产时月产能将达到4万片晶圆，良率表现据说也达到了预期。
Intel 10月份组织了一次工厂行，开放了Fab 52工厂参观，还展示了先进的EUV光刻机，但是18A工艺还有很多秘密没有公布，很可能用上了下一代的High NA EUV光刻机作为杀手锏。
High NA型是当前EUV光刻机的下一代产品，主要是NA指标从0.33提升到了0.55，可以进一步提升光刻分辨率，但是成本提升也是巨大的，一台售价要4亿美元，约合28亿元，比当前EUV光刻机1.5-2亿美元的价格翻倍还多。
Intel在EUV光刻机商落后了，因此把High NA EUV视为工艺翻身的机会，前几年就官宣成为High NA EUV的首家客户，从Intel这两年公布的信息来判断，他们至少买了3台High NA EUV光刻机了。
不过也有说法是Intel包圆了ASML这几年来的High NA EUV产能，大约有6-7台，可以说非常壕了，毕竟台积电、三星并不打算第一时间就抢购High NA EUV光刻机。
Intel如此大手笔购买High NA EUV是做什么用的？此前他们提到会在下一代的14A工艺上应用这种光刻技术，但是14A还没建厂呢，目前最多是在试验开发中。
Intel自己披露的消息称，他们每个季度使用High NA EUV生产超过3万片晶圆，也就是每个月1万片晶圆，要知道1万的产能对实际量产的工厂来说都不小了，现在Intel在技术研发上就如此大量生产，实在是太烧钱太奢侈了。
这不太合理，那High NA EUV光刻机可能还有一种用途，就是现在的18A工艺上已经秘密使用了这种光刻机，但Intel不打算宣传也不打算公布。
猜测Intel的想法是把High NA EUV作为18A工艺秘而不宣的优势，打竞争对手一个措手不及，延长Intel在High NA EUV技术上的优势。
∞ DDR4、DDR5疯狂涨价 内存大厂业绩爆表 利润增长1500%
内存价格最近的涨价已经到了肆无忌惮的地步，价格只涨100-200%的都要算厂商和经销商良心，这也导致了内存厂商的业绩爆发，利润十几倍增长。威刚、十铨两家公司公布了2025年11月份的月度报告，十铨当月税后纯利润达到了3.14亿新台币，同比大涨1012%，而威刚当月纯利达到了12.81亿新台币，同比大涨了1563.6%，单月EPS收益超过4元，接近2025上半年的表现。
这两家内存厂商的业绩爆发无疑是吃上了最近内存涨价的红利，他们的库存是之前低价位留下的，现在可以高价出售，直接带动了利润起飞。
考虑到通常的内存库存周期，威刚、十铨至少还有1-2个月的库存优势期，换句话说12月到本月的利润估计也是10倍-15倍的增长，甚至会更多，毕竟价格还在涨。
过了这个红利期，这两家厂商也会面临考验，因为上游的内存芯片颗粒价格也涨了，而且三星、SK海力士、美光等公司会优先供应大厂，不是所有厂商都能拿到供货，更别说价格也会大涨了。
更关键的问题是这一波涨价缺货会持续多久，之前SK海力士等上游厂商一直放风说缺货要持续到27年甚至28年，但是最新的行业调研要冷静许多。
伯恩斯坦及小摩发布的报告都不看好价格会一直涨下去，预计今年4个季度还会增长，但环比增长速度会减慢，而27年内存价格会跌回去，明年底的季度跌幅能达到20%之多。
∞ 国产高性能芯片华山A2000通过美国审查 推向全球市场
今天黑芝麻智能官方宣布，其高性能全场景智能驾驶芯片华山A2000，已顺利通过美国商务部和国防部的相关审查，获准在全球范围内销售与应用。据介绍，A2000芯片于2025年1月流片成功，但因其超高性能而受到美方审查。
经过近一年的技术澄清与沟通，最终成功通过审批，黑芝麻智能也成为国内唯一通过此类审查的企业。
性能方面，华山A2000芯片基于7nm工艺打造，集成CPU、DSP、GPU、NPU、MCU、ISP和CV等多功能单元，实现了高度集成化和单芯片多任务处理的能力，实测性能媲美当前全球顶尖的智驾芯片。
该芯片还支持全FP16/FP8浮点及INT4/INT8/INT16等多种精度计算，并搭配成熟的AI工具链BaRT，可实现从模型训练到部署的全流程高效开发。
作为面向开放生态的高算力驾驶平台，A2000可支持车企及第三方进行自研方案的开发与部署。
∞ 微星最新推出的QD-OLED显示器 终于解决了字体彩边问题
据外媒PC Gamer报道，MSI（微星）近日推出了一款全新的QD-OLED游戏显示器——MPG 341CQR QD-OLED X36。虽然该显示器的名字很糟糕，但采用了三星最新的第五代QD-OLED面板，在画质表现和日常可用性方面实现了明显进步，并因此获得了PC Gamer编辑推荐奖，综合评分高达92%。
报道指出，这款显示器是一台34英寸超宽屏产品，原生分辨率为3440×1440，像素密度约110ppi。在以往的QD-OLED显示器上，类似规格往往会因为子像素结构问题，在Windows桌面和文本显示场景中出现明显的字体彩边现象（字体边缘模糊），影响非游戏用途的观感。
PC Gamer表示，第五代QD-OLED面板通过采用全新的RGB条纹子像素排列，基本上解决了这一长期困扰PC用户的问题，文字边缘清晰度显著提升，彩边现象大幅减轻。
此外，MSI显示器还采用了半光泽涂层和面板层，增强了光吸收。将三星QD-OLED和LG WOLED并排放置，分别用光照射，你会发现表面略微泛紫。而有了这层全新的PureBlack涂层，这种现象就不那么明显了。两种OLED面板技术之间仍然存在差异，但你必须用非常强的光照射才能真正察觉到。
左边是LG WOLED，右边是这款新型QD-OLED。高亮度LED光源会加剧这个问题，但光吸收问题尚未完全解决
峰值亮度方面，并没有太大突破，新面板的全屏平均亮度为300 cd/m²。这比上一代QD-OLED的250和275 cd/m²要好，但真正希望OLED的亮度能够达到400 cd/m²，这样OLED的亮度问题才能真正得到有效解决。
不过，经过MSI的有效调校，MPG 341CQR QD-OLED X36能够呈现最佳HDR体验，无论是暗部场景还是明亮的户外场景，都能展现出清晰锐利的高光。这在PC OLED游戏显示器中尚属首次。
报道称，MPG 341CQR QD-OLED X36预计将于近期上市，定价约为1100美元。鉴于MSI在同类产品上的价格策略一贯较为激进，PC Gamer认为该产品在后续仍存在一定的降价空间。随着更多第五代QD-OLED面板规格在未来一年陆续推出，这一技术在PC显示器市场中的应用前景也被普遍看好。